Conçu pour supporter des contraintes électriques sévères, le module GD200HFX120C2S incarne l'excellence technique en matière de semi-conducteurs de puissance. Sa tension nominale de 1200V le destine aux applications de réseau triphasé et aux architectures électriques industrielles lourdes.
La stabilité structurelle de ce boîtier garantit une isolation galvanique parfaite et une résistance accrue aux cycles thermiques répétés.
| Spécification du Composant | Valeur Nominale |
|---|---|
| Code Produit | GD200HFX120C2S |
| Tension d'isolement | 1200 V |
| Capacité de courant | 200 A |
| Technologie de puce | IGBT Trench Gate Field Stop |
| Applications types | Soudage industriel, Traction électrique |
Les matériaux sélectionnés pour la semelle en cuivre et le substrat céramique offrent une conductivité thermique supérieure. Cela permet de maintenir des performances constantes même lors de pics de charge prolongés dans les stations de pompage ou les centrales de cogénération.
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