Le module électronique de puissance IGBT SKM200GAR123D représente la solution de choix pour la segmentation et le contrôle des courants électriques alternatifs et continus. Ce type de semi-conducteur combine les avantages de la commande simple des transistors à effet de champ avec la capacité de conduction élevée des transistors bipolaires traditionnels, offrant un excellent compromis pour l'électronique de puissance moderne.
Conçu pour endurer des cycles thermiques répétés, le module dissipe la chaleur de manière homogène vers le radiateur externe. Cette propriété empêche la formation de points chauds localisés à l'intérieur de la puce de silicium, minimisant le risque de claquage du composant lors des démarrages en charge des moteurs ou des inversions de polarité.
| Technologie interne | IGBT avec diode CAL intégrée |
| Résistance thermique jonction-boîtier | 0,12 K/W |
| Type de connexion | Bornes à vis pour circuits de puissance |
| Conformité environnementale | Sans plomb, conforme aux normes industrielles |
Chaque unité est assemblée selon des critères stricts pour garantir que les caractéristiques électriques restent stables tout au long de sa durée d'utilisation opérationnelle, même sous des vibrations constantes.
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